SSRF30N20-400 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSRF30N20-400  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: ITO220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SSRF30N20-400 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSRF30N20-400 datasheet

 ..1. Size:138K  secos
 ssrf30n20-400.pdf pdf_icon

SSRF30N20-400

SSRF30N20-400 23A, 200V, RDS(ON) 400m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220 process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B N dissipation. Typical applications are DC-

Otros transistores... SSPS7321P, SSPS7330N, SSPS7331P, SSPS7332N, SSPS7333P, SSPS7334N, SSQ5N50, SSQ6N60, 20N60, SSRF4N60, SSRF50P04-16, SSRF60N10, SSRF90N06, SSRF90N06-10, SST2604, SST2605, SSPS922NE