Справочник MOSFET. SSRF30N20-400

 

SSRF30N20-400 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSRF30N20-400
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: ITO220
 

 Аналог (замена) для SSRF30N20-400

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSRF30N20-400 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  secos
 ssrf30n20-400.pdf pdf_icon

SSRF30N20-400

SSRF30N20-400 23A, 200V, RDS(ON) 400m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B Ndissipation. Typical applications are DC-

Другие MOSFET... SSPS7321P , SSPS7330N , SSPS7331P , SSPS7332N , SSPS7333P , SSPS7334N , SSQ5N50 , SSQ6N60 , 20N60 , SSRF4N60 , SSRF50P04-16 , SSRF60N10 , SSRF90N06 , SSRF90N06-10 , SST2604 , SST2605 , SSPS922NE .

History: SSG4410N | DMTH8003SPS-13 | SSG4492N

 

 
Back to Top

 


 
.