SSRF60N10 Todos los transistores

 

SSRF60N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSRF60N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO220
 

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SSRF60N10 Datasheet (PDF)

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SSRF60N10

SSRF60N10 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 51A, 100V, RDS(ON) 78m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B Ndissipation. Typical applications are DC-DC co

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History: JCS18N25VC | MF5853CS | SSQ6N60 | SSPS7332N | SVF12N65CF | FTK2N65F | APT10045JFLL

 

 
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