Справочник MOSFET. SSRF60N10

 

SSRF60N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSRF60N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: ITO220
 

 Аналог (замена) для SSRF60N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSRF60N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  secos
 ssrf60n10.pdf pdf_icon

SSRF60N10

SSRF60N10 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 51A, 100V, RDS(ON) 78m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B Ndissipation. Typical applications are DC-DC co

Другие MOSFET... SSPS7332N , SSPS7333P , SSPS7334N , SSQ5N50 , SSQ6N60 , SSRF30N20-400 , SSRF4N60 , SSRF50P04-16 , 50N06 , SSRF90N06 , SSRF90N06-10 , SST2604 , SST2605 , SSPS922NE , SSPS924NE , SSU50N10 , STT2604 .

History: STF9NM60N | IVN5000AND | SD212 | NCE0117K | IRFH5215 | WMK023N08HGS | SMG2390N

 

 
Back to Top

 


 
.