SSRF60N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSRF60N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm

Тип корпуса: ITO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSRF60N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSRF60N10 даташит

 ..1. Size:320K  secos
 ssrf60n10.pdf pdf_icon

SSRF60N10

SSRF60N10 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 51A, 100V, RDS(ON) 78m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220 process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B N dissipation. Typical applications are DC-DC co

Другие IGBT... SSPS7332N, SSPS7333P, SSPS7334N, SSQ5N50, SSQ6N60, SSRF30N20-400, SSRF4N60, SSRF50P04-16, 50N06, SSRF90N06, SSRF90N06-10, SST2604, SST2605, SSPS922NE, SSPS924NE, SSU50N10, STT2604