Справочник MOSFET. SSRF60N10

 

SSRF60N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSRF60N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: ITO220

 Аналог (замена) для SSRF60N10

 

 

SSRF60N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  secos
 ssrf60n10.pdf

SSRF60N10 SSRF60N10

SSRF60N10 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 51A, 100V, RDS(ON) 78m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B Ndissipation. Typical applications are DC-DC co

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top