Справочник MOSFET. SSRF60N10

 

SSRF60N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSRF60N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: ITO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSRF60N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  secos
 ssrf60n10.pdf pdf_icon

SSRF60N10

SSRF60N10 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 51A, 100V, RDS(ON) 78m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B Ndissipation. Typical applications are DC-DC co

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXTP50N085T | SI1900DL | NDT6N70 | MPVD5N50CCFD | 2SK1984 | IPD50R280CE | NCE70N600K

 

 
Back to Top

 


 
.