SST2604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SST2604
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT26
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SST2604
SST2604 Datasheet (PDF)
sst2604.pdf
SST26045.5A, 30V,RDS(ON) 45mElektronische BauelementeN-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOT-26Description1.90REF0.95REF 0.95REF1.2 REFThe SST2604 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest0.45 REF0.60 REFpossible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device.2.603.00The SST2604 is universally use
sst2605.pdf
SST2605 -4.0A, -30V,RDS(ON) 80mElektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FEToElectrical Characteristics( Tj=25 C Unless otherwise specified)Parameter Typ.Symbol Min. Max. Unit Test Condition__V VGS=0V, ID=-250uADrain-Source Breakdown Voltage BVDSS -30oo__Breakdown Voltage Temp. Coefficient V/ Reference to 25 C,ID=-1mACBVDS/ Tj -0.02
Otros transistores... SSQ5N50 , SSQ6N60 , SSRF30N20-400 , SSRF4N60 , SSRF50P04-16 , SSRF60N10 , SSRF90N06 , SSRF90N06-10 , IRF640 , SST2605 , SSPS922NE , SSPS924NE , SSU50N10 , STT2604 , STT2605 , STT3402N , STT3405P .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918