SST2604 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SST2604  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOT26

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SST2604 datasheet

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SST2604

SST2604 5.5A, 30V,RDS(ON) 45m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOT-26 Description 1.90REF 0.95REF 0.95REF 1.2 REF The SST2604 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest 0.45 REF 0.60 REF possible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device. 2.60 3.00 The SST2604 is universally use

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SST2604

SST2605 -4.0A, -30V,RDS(ON) 80m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET o Electrical Characteristics( Tj=25 C Unless otherwise specified) Parameter Typ. Symbol Min. Max. Unit Test Condition _ _ V VGS=0V, ID=-250uA Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS -30 o o _ _ Breakdown Voltage Temp. Coefficient V/ Reference to 25 C,ID=-1mA C BVDS/ Tj -0.02

Otros transistores... SSQ5N50, SSQ6N60, SSRF30N20-400, SSRF4N60, SSRF50P04-16, SSRF60N10, SSRF90N06, SSRF90N06-10, IRF640, SST2605, SSPS922NE, SSPS924NE, SSU50N10, STT2604, STT2605, STT3402N, STT3405P