SST2604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SST2604
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SST2604

SST2604 Datasheet (PDF)

..1. Size:851K secos
sst2604.pdf

SST26045.5A, 30V,RDS(ON) 45mElektronische BauelementeN-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOT-26Description1.90REF0.95REF 0.95REF1.2 REFThe SST2604 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest0.45 REF0.60 REFpossible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device.2.603.00The SST2604 is universally use

8.1. Size:3219K secos
sst2605.pdf

SST2605 -4.0A, -30V,RDS(ON) 80mElektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FEToElectrical Characteristics( Tj=25 C Unless otherwise specified)Parameter Typ.Symbol Min. Max. Unit Test Condition__V VGS=0V, ID=-250uADrain-Source Breakdown Voltage BVDSS -30oo__Breakdown Voltage Temp. Coefficient V/ Reference to 25 C,ID=-1mACBVDS/ Tj -0.02

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: