Справочник MOSFET. SST2604

 

SST2604 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SST2604
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 105 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT26

 Аналог (замена) для SST2604

 

 

SST2604 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  secos
sst2604.pdf

SST2604 SST2604

SST26045.5A, 30V,RDS(ON) 45mElektronische BauelementeN-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOT-26Description1.90REF0.95REF 0.95REF1.2 REFThe SST2604 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest0.45 REF0.60 REFpossible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device.2.603.00The SST2604 is universally use

 8.1. Size:3219K  secos
sst2605.pdf

SST2604 SST2604

SST2605 -4.0A, -30V,RDS(ON) 80mElektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FEToElectrical Characteristics( Tj=25 C Unless otherwise specified)Parameter Typ.Symbol Min. Max. Unit Test Condition__V VGS=0V, ID=-250uADrain-Source Breakdown Voltage BVDSS -30oo__Breakdown Voltage Temp. Coefficient V/ Reference to 25 C,ID=-1mACBVDS/ Tj -0.02

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top