Справочник MOSFET. SST2604

 

SST2604 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SST2604
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT26

 Аналог (замена) для SST2604

 

 

SST2604 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:851K  secos
 sst2604.pdf

SST2604 SST2604

SST26045.5A, 30V,RDS(ON) 45mElektronische BauelementeN-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOT-26Description1.90REF0.95REF 0.95REF1.2 REFThe SST2604 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest0.45 REF0.60 REFpossible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device.2.603.00The SST2604 is universally use

 8.1. Size:3219K  secos
 sst2605.pdf

SST2604 SST2604

SST2605 -4.0A, -30V,RDS(ON) 80mElektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FEToElectrical Characteristics( Tj=25 C Unless otherwise specified)Parameter Typ.Symbol Min. Max. Unit Test Condition__V VGS=0V, ID=-250uADrain-Source Breakdown Voltage BVDSS -30oo__Breakdown Voltage Temp. Coefficient V/ Reference to 25 C,ID=-1mACBVDS/ Tj -0.02

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top