SSU50N10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSU50N10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 268 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO263

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SSU50N10 datasheet

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SSU50N10

SSU50N10 54A , 100V , RDS(ON) 22m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-263 The SSU50N10 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDS(ON) and gate charge for most of the synchronous buck converter applica

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