Справочник MOSFET. SSU50N10

 

SSU50N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSU50N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 268 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SSU50N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU50N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1935K  secos
 ssu50n10.pdf pdf_icon

SSU50N10

SSU50N10 54A , 100V , RDS(ON) 22m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-263 The SSU50N10 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDS(ON) and gate charge for most of the synchronous buck converter applica

Другие MOSFET... SSRF50P04-16 , SSRF60N10 , SSRF90N06 , SSRF90N06-10 , SST2604 , SST2605 , SSPS922NE , SSPS924NE , IRF630 , STT2604 , STT2605 , STT3402N , STT3405P , STT3423P , STT3434N , STT3457P , STT3458N .

History: FTK4703 | FCPF380N60

 

 
Back to Top

 


 
.