SSU50N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSU50N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 268 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSU50N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU50N10 даташит

 ..1. Size:1935K  secos
 ssu50n10.pdf pdf_icon

SSU50N10

SSU50N10 54A , 100V , RDS(ON) 22m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-263 The SSU50N10 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDS(ON) and gate charge for most of the synchronous buck converter applica

Другие IGBT... SSRF50P04-16, SSRF60N10, SSRF90N06, SSRF90N06-10, SST2604, SST2605, SSPS922NE, SSPS924NE, IRFP260N, STT2604, STT2605, STT3402N, STT3405P, STT3423P, STT3434N, STT3457P, STT3458N