STT3810N Todos los transistores

 

STT3810N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT3810N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0245 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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STT3810N Datasheet (PDF)

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STT3810N

STT3810N 6A , 20V , RDS(ON) 24.5 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free Key Features: TSOP-6 Low rDS(on) trench technology A Low thermal impedance EL Fast switching speed 6 5 4Typical Applications: B Battery Powered Instruments Portable Compu

Otros transistores... STT3458N , STT3463P , STT3470N , STT3471P , STT3490N , STT3520C , STT3585 , STT3599C , IRFP260 , STT3922N , STT3962N , STT3962NE , STT3981 , STT3998N , STT4443 , STT6405 , STT6602 .

History: JMTQ3400D | TK75A06K3 | H01N60SI | JMTQ3008A | H02N60I | JMTQ320N10A

 

 
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