STT3810N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT3810N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0245 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de STT3810N MOSFET
STT3810N Datasheet (PDF)
stt3810n.pdf
STT3810N 6A , 20V , RDS(ON) 24.5 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free Key Features: TSOP-6 Low rDS(on) trench technology A Low thermal impedance EL Fast switching speed 6 5 4Typical Applications: B Battery Powered Instruments Portable Compu
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History: BSC030N04NSG | 40N15G-TA3-T | 40N15G-TF1-T | STT3520C | NTTFS4H05NTAG | STT3585 | 40N15L-TF1-T
History: BSC030N04NSG | 40N15G-TA3-T | 40N15G-TF1-T | STT3520C | NTTFS4H05NTAG | STT3585 | 40N15L-TF1-T
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