Справочник MOSFET. STT3810N

 

STT3810N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT3810N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0245 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для STT3810N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT3810N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:448K  secos
 stt3810n.pdf pdf_icon

STT3810N

STT3810N 6A , 20V , RDS(ON) 24.5 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free Key Features: TSOP-6 Low rDS(on) trench technology A Low thermal impedance EL Fast switching speed 6 5 4Typical Applications: B Battery Powered Instruments Portable Compu

Другие MOSFET... STT3458N , STT3463P , STT3470N , STT3471P , STT3490N , STT3520C , STT3585 , STT3599C , IRFP260 , STT3922N , STT3962N , STT3962NE , STT3981 , STT3998N , STT4443 , STT6405 , STT6602 .

History: SQM110N04-04 | IPF13N03LAG | NTBLS001N06C | HY3410B | IRFP4004 | MTP20N20E | IRFPG22

 

 
Back to Top

 


 
.