STT4443 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT4443  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 3 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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STT4443 datasheet

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STT4443

STT4443 -2.3A , -30V , RDS(ON) 120 m P-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6 STT4443 utilized advanced processing techniques to A achieve the lowest possible on-resistance, extremely E L efficient and cost-effectiveness device. The TSOP-6 6 5 4 packag

Otros transistores... STT3585, STT3599C, STT3810N, STT3922N, STT3962N, STT3962NE, STT3981, STT3998N, AO3401, STT6405, STT6602, STT6802, SUM6K1N, SGM0410, SSD04N65, SSD20N10-130D, SSM9575