STT4443 Todos los transistores

 

STT4443 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT4443
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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STT4443 Datasheet (PDF)

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STT4443

STT4443 -2.3A , -30V , RDS(ON) 120 mP-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6 STT4443 utilized advanced processing techniques to Aachieve the lowest possible on-resistance, extremely ELefficient and cost-effectiveness device. The TSOP-6 6 5 4packag

Otros transistores... STT3585 , STT3599C , STT3810N , STT3922N , STT3962N , STT3962NE , STT3981 , STT3998N , AO3400 , STT6405 , STT6602 , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , SSD20N10-130D , SSM9575 .

History: IRFR1010Z | SIHP11N80E | WCM2068 | 4N80 | IPI80N06S4-07 | APT17N80BC3 | NCE1570

 

 
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