Справочник MOSFET. STT4443

 

STT4443 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT4443
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для STT4443

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT4443 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  secos
 stt4443.pdf pdf_icon

STT4443

STT4443 -2.3A , -30V , RDS(ON) 120 mP-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6 STT4443 utilized advanced processing techniques to Aachieve the lowest possible on-resistance, extremely ELefficient and cost-effectiveness device. The TSOP-6 6 5 4packag

Другие MOSFET... STT3585 , STT3599C , STT3810N , STT3922N , STT3962N , STT3962NE , STT3981 , STT3998N , AO3400 , STT6405 , STT6602 , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , SSD20N10-130D , SSM9575 .

History: TPC6130 | APT20M34BLL | R6035KNZ1 | ALD1106SBL | CS10N60P | FQPF10N60CT | IRFB4410PBF

 

 
Back to Top

 


 
.