STT6405 Todos los transistores

 

STT6405 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT6405
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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STT6405 Datasheet (PDF)

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STT6405

STT6405 -5.0 A, -30 V, RDS(ON) 50 m P-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product TSOP-6 A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION The STT6405 uses advanced trench technology AEto provide excellent on-resistance with low gate change. LThe device is suitable for use as a load switch or in PWM

Otros transistores... STT3599C , STT3810N , STT3922N , STT3962N , STT3962NE , STT3981 , STT3998N , STT4443 , SPP20N60C3 , STT6602 , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , SSD20N10-130D , SSM9575 , SST3585 .

History: SI7478DP-T1 | IPI65R280E6 | HY1506I | IPL65R650C6S | IRF5806 | AOD3T40P | STB200N4F3

 

 
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