STT6405 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STT6405
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6

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STT6405 Datasheet (PDF)

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stt6405.pdf

STT6405 -5.0 A, -30 V, RDS(ON) 50 m P-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product TSOP-6 A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION The STT6405 uses advanced trench technology AEto provide excellent on-resistance with low gate change. LThe device is suitable for use as a load switch or in PWM

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIS412DN

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: