Справочник MOSFET. STT6405

 

STT6405 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT6405
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для STT6405

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT6405 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:855K  secos
 stt6405.pdf pdf_icon

STT6405

STT6405 -5.0 A, -30 V, RDS(ON) 50 m P-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product TSOP-6 A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION The STT6405 uses advanced trench technology AEto provide excellent on-resistance with low gate change. LThe device is suitable for use as a load switch or in PWM

Другие MOSFET... STT3599C , STT3810N , STT3922N , STT3962N , STT3962NE , STT3981 , STT3998N , STT4443 , SPP20N60C3 , STT6602 , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , SSD20N10-130D , SSM9575 , SST3585 .

History: IRFH7446PBF | CSN64N12 | WMN80R160S | SFP350N100C2 | FDU6N25 | IRLML0100TRPBF | KP11N60D

 

 
Back to Top

 


 
.