Справочник MOSFET. STT6405

 

STT6405 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT6405
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STT6405 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:855K  secos
stt6405.pdfpdf_icon

STT6405

STT6405 -5.0 A, -30 V, RDS(ON) 50 m P-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product TSOP-6 A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION The STT6405 uses advanced trench technology AEto provide excellent on-resistance with low gate change. LThe device is suitable for use as a load switch or in PWM

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SIA817EDJ | AUIRF540ZS | 2SK417 | IRFU4105ZPBF | NCE60NF730K | TPC65R260M | BRCS100N06BD

 

 
Back to Top

 


 
.