STT6405. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STT6405
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для STT6405
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STT6405 даташит
stt6405.pdf
STT6405 -5.0 A, -30 V, RDS(ON) 50 m P-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product TSOP-6 A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION The STT6405 uses advanced trench technology A E to provide excellent on-resistance with low gate change. L The device is suitable for use as a load switch or in PWM
Другие MOSFET... STT3599C , STT3810N , STT3922N , STT3962N , STT3962NE , STT3981 , STT3998N , STT4443 , K3569 , STT6602 , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , SSD20N10-130D , SSM9575 , SST3585 .
History: SI3139KL3 | WMO26N65F2 | WMJ80R480S | SUP60N06-18 | APT4014BVFR | APT47N65BC3 | HY3810PM
History: SI3139KL3 | WMO26N65F2 | WMJ80R480S | SUP60N06-18 | APT4014BVFR | APT47N65BC3 | HY3810PM
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor

