STT6602 Todos los transistores

 

STT6602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT6602
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5(6) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40(55) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

 Búsqueda de reemplazo de STT6602 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STT6602 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2997K  secos
 stt6602.pdf pdf_icon

STT6602

STT6602 N-Ch: 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch: -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION The STT6602 uses advanced trench technology to AEprovide excellent on-resistance and low gate charge. L

 8.1. Size:185K  samhop
 stt6603.pdf pdf_icon

STT6602

GreenProductSTT6603aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.180 @ VGS=-10VSOT-223 package.-60V -2.5A240 @ VGS=-4.5VDGGSSOT - 223S(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSS

Otros transistores... STT3810N , STT3922N , STT3962N , STT3962NE , STT3981 , STT3998N , STT4443 , STT6405 , 8205A , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , SSD20N10-130D , SSM9575 , SST3585 , 2N4003K .

History: FDS2170N7 | DM12N65C-F | NP34N055SLE | NCEP3060EQ | SL4614 | SML2005SMD1 | 2P829E9

 

 
Back to Top

 


 
.