STT6602 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT6602  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5(6) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40(55) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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STT6602 datasheet

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STT6602

STT6602 N-Ch 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION The STT6602 uses advanced trench technology to A E provide excellent on-resistance and low gate charge. L

 8.1. Size:185K  samhop
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STT6602

Green Product STT6603 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 180 @ VGS=-10V SOT-223 package. -60V -2.5A 240 @ VGS=-4.5V D G G S SOT - 223 S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS S

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