STT6602 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT6602
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.5(6) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40(55) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de STT6602 MOSFET
Principales características: STT6602
stt6602.pdf
STT6602 N-Ch 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION The STT6602 uses advanced trench technology to A E provide excellent on-resistance and low gate charge. L
stt6603.pdf
Green Product STT6603 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 180 @ VGS=-10V SOT-223 package. -60V -2.5A 240 @ VGS=-4.5V D G G S SOT - 223 S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS S
Otros transistores... STT3810N , STT3922N , STT3962N , STT3962NE , STT3981 , STT3998N , STT4443 , STT6405 , IRFP260 , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , SSD20N10-130D , SSM9575 , SST3585 , 2N4003K .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP3N50K | AP3N50F | AP3912GD | AP3415E | AP3404S | AP3404 | AP3205 | AP3139 | AP3134N5 | AP3101A | AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K
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