STT6602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STT6602

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.14 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 2.5(6) nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40(55) pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.065 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSOP6

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STT6602 Datasheet (PDF)

1.1. stt6602.pdf Size:2997K _secos

STT6602 N-Ch: 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 mΩ Ω Ω Ω P-Ch: -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 mΩ Ω Ω Ω Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION The STT6602 uses advanced trench technology to A E provide excellent on-resistance and low gate charge. L

4.1. stt6603.pdf Size:185K _samhop

Green Product STT6603 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (mΩ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 180 @ VGS=-10V SOT-223 package. -60V -2.5A 240 @ VGS=-4.5V D G G S SOT - 223 S (TA=25°C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS S

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Liste

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