Справочник MOSFET. STT6602

 

STT6602 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT6602
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5(6) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40(55) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для STT6602

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT6602 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2997K  secos
 stt6602.pdf pdf_icon

STT6602

STT6602 N-Ch: 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch: -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION The STT6602 uses advanced trench technology to AEprovide excellent on-resistance and low gate charge. L

 8.1. Size:185K  samhop
 stt6603.pdf pdf_icon

STT6602

GreenProductSTT6603aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.180 @ VGS=-10VSOT-223 package.-60V -2.5A240 @ VGS=-4.5VDGGSSOT - 223S(TA=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSS

Другие MOSFET... STT3810N , STT3922N , STT3962N , STT3962NE , STT3981 , STT3998N , STT4443 , STT6405 , 8205A , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , SSD20N10-130D , SSM9575 , SST3585 , 2N4003K .

History: LU120N | SE100P60 | TPN2R203NC | STP315N10F7 | 2SK1214 | SI12N60-F | STFI9N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.