STT6602 - описание и поиск аналогов

 

STT6602. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STT6602

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5(6) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40(55) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для STT6602

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT6602 даташит

 ..1. Size:2997K  secos
 stt6602.pdf pdf_icon

STT6602

STT6602 N-Ch 3.3A, 30V, RDS(ON) 65 m P-Ch -2.3A, -30V, RDS(ON) 120 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION The STT6602 uses advanced trench technology to A E provide excellent on-resistance and low gate charge. L

 8.1. Size:185K  samhop
 stt6603.pdf pdf_icon

STT6602

Green Product STT6603 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 180 @ VGS=-10V SOT-223 package. -60V -2.5A 240 @ VGS=-4.5V D G G S SOT - 223 S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS S

Другие MOSFET... STT3810N , STT3922N , STT3962N , STT3962NE , STT3981 , STT3998N , STT4443 , STT6405 , IRFP260 , STT6802 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , SSD20N10-130D , SSM9575 , SST3585 , 2N4003K .

History: SRC60R090B | LSC65R290HF | WMN90R360S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.