WTC2312 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WTC2312
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WTC2312

WTC2312 Datasheet (PDF)

..1. Size:858K wietron
wtc2312.pdf

WTC2312N-Channel Enhancement 3 DRAINDRAIN CURRENTMode Power MOSFET4.9 AMPERES P b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOUCE VOLTAGE20 VOLTAGE1 GATEFeatures:* Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)2 SOURCE RDS(ON)

9.1. Size:2120K wietron
wtc2305ds.pdf

WTC2305DSP-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -3.5 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-8 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)

9.2. Size:723K wietron
wtc2302.pdf

WTC2302N-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOUCE VOLTAGE20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)

9.3. Size:2328K wietron
wtc2305.pdf

WTC2305P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -4.2 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-30 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)

9.4. Size:566K wietron
wtc2301.pdf

WTC2301P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-Free DRAIN SOURCE VOLTAGE-20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1RDS(ON)

9.5. Size:792K wietron
wtc2306.pdf

WTC23063 DRAINN-Channel Enhancement DRAIN CURRENTMode Power MOSFET5.8 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free 130 VOLTAGEGATE2Features:SOURCE* Super High Dense Cell Design For Low RDS(on) RDS(on)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: