WTC2312 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WTC2312
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.2 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.041 Ohm
Тип корпуса: SOT23
WTC2312 Datasheet (PDF)
wtc2312.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WTC2312N-Channel Enhancement 3 DRAINDRAIN CURRENTMode Power MOSFET4.9 AMPERES P b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOUCE VOLTAGE20 VOLTAGE1 GATEFeatures:* Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)2 SOURCE RDS(ON)
wtc2305ds.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WTC2305DSP-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -3.5 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-8 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)
wtc2302.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WTC2302N-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOUCE VOLTAGE20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)
wtc2305.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WTC2305P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -4.2 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-30 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)
wtc2301.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WTC2301P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-Free DRAIN SOURCE VOLTAGE-20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1RDS(ON)
wtc2306.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WTC23063 DRAINN-Channel Enhancement DRAIN CURRENTMode Power MOSFET5.8 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free 130 VOLTAGEGATE2Features:SOURCE* Super High Dense Cell Design For Low RDS(on) RDS(on)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .