Справочник MOSFET. WTC2312

 

WTC2312 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WTC2312
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WTC2312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  wietron
 wtc2312.pdf pdf_icon

WTC2312

WTC2312N-Channel Enhancement 3 DRAINDRAIN CURRENTMode Power MOSFET4.9 AMPERES P b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOUCE VOLTAGE20 VOLTAGE1 GATEFeatures:* Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)2 SOURCE RDS(ON)

 9.1. Size:2120K  wietron
 wtc2305ds.pdf pdf_icon

WTC2312

WTC2305DSP-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -3.5 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-8 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)

 9.2. Size:723K  wietron
 wtc2302.pdf pdf_icon

WTC2312

WTC2302N-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOUCE VOLTAGE20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)

 9.3. Size:2328K  wietron
 wtc2305.pdf pdf_icon

WTC2312

WTC2305P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -4.2 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-30 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCEP040N10 | SSG4935P | IRF054 | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.