WTC2312 - аналоги и даташиты транзистора

 

WTC2312 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WTC2312
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для WTC2312

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WTC2312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  wietron
 wtc2312.pdf pdf_icon

WTC2312

WTC2312N-Channel Enhancement 3 DRAINDRAIN CURRENTMode Power MOSFET4.9 AMPERES P b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOUCE VOLTAGE20 VOLTAGE1 GATEFeatures:* Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)2 SOURCE RDS(ON)

 9.1. Size:2120K  wietron
 wtc2305ds.pdf pdf_icon

WTC2312

WTC2305DSP-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -3.5 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-8 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)

 9.2. Size:723K  wietron
 wtc2302.pdf pdf_icon

WTC2312

WTC2302N-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET2.3 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOUCE VOLTAGE20 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)1 RDS(ON)

 9.3. Size:2328K  wietron
 wtc2305.pdf pdf_icon

WTC2312

WTC2305P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT3 DRAINMode Power MOSFET -4.2 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGE-30 VOLTAGE1GATE2Features:SOURCE3*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 1 RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MGSF1P02 , WT4410M , WTC1333 , WTC2301 , WTC2302 , WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , IRF530 , WTC4501 , WTC9435 , WTD40N03 , WTD9435 , WTD9575 , WTD9973 , WTG3043 , WTK4224 .

 

 
Back to Top

 


 
.