WTD40N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTD40N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Encapsulados: TO252
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WTD40N03 datasheet
wtd40n03.pdf
WTD40N03 Surface Mount P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT Mode POWER MOSFET 3 DRAIN -15 AMPERES P b Lead(Pb)-Free DRAIN SOURCE VOLTAGE -60 VOLTAGE 1 GATE Features 2 *Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) SOURCE RDS(ON)
Otros transistores... WTC2301 , WTC2302 , WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 , WTC9435 , STF13NM60N , WTD9435 , WTD9575 , WTD9973 , WTG3043 , WTK4224 , WTK4228 , WTK4424 , WTK4435 .
History: HFP75N80C | 2SK1254S | NVA4001N
History: HFP75N80C | 2SK1254S | NVA4001N
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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