Справочник MOSFET. WTD40N03

 

WTD40N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WTD40N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WTD40N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WTD40N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1354K  wietron
 wtd40n03.pdf pdf_icon

WTD40N03

WTD40N03Surface Mount P-Channel EnhancementDRAIN CURRENTMode POWER MOSFET3 DRAIN-15 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE-60 VOLTAGE1 GATEFeatures:2*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)SOURCERDS(ON)

Другие MOSFET... WTC2301 , WTC2302 , WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 , WTC9435 , IRF2807 , WTD9435 , WTD9575 , WTD9973 , WTG3043 , WTK4224 , WTK4228 , WTK4424 , WTK4435 .

History: 4N90 | NDS335N | ME20N15 | IRF7807TRPBF-1 | VN1206N5 | APT1201R4BLL | APT20M16LFLL

 

 
Back to Top

 


 
.