WTD40N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WTD40N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WTD40N03
WTD40N03 Datasheet (PDF)
wtd40n03.pdf
WTD40N03Surface Mount P-Channel EnhancementDRAIN CURRENTMode POWER MOSFET3 DRAIN-15 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE-60 VOLTAGE1 GATEFeatures:2*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)SOURCERDS(ON)
Другие MOSFET... WTC2301 , WTC2302 , WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 , WTC9435 , STF13NM60N , WTD9435 , WTD9575 , WTD9973 , WTG3043 , WTK4224 , WTK4228 , WTK4424 , WTK4435 .
History: SI2333CDS-T1-GE3 | 17N60 | 2SJ527S
History: SI2333CDS-T1-GE3 | 17N60 | 2SJ527S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943


