Справочник MOSFET. WTD40N03

 

WTD40N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WTD40N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WTD40N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1354K  wietron
 wtd40n03.pdf pdf_icon

WTD40N03

WTD40N03Surface Mount P-Channel EnhancementDRAIN CURRENTMode POWER MOSFET3 DRAIN-15 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE-60 VOLTAGE1 GATEFeatures:2*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)SOURCERDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: TMU4N60H | ME4410AD | BLP08N10G-D | SHD219410 | 4N90G-TN3-R | MPGP10R033 | JCS2N60C

 

 
Back to Top

 


 
.