WTD9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTD9435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 31 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 3 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 187 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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WTD9435 Datasheet (PDF)
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WTD9435Surface Mount P-Channel EnhancementDRAIN CURRENTMode POWER MOSFET3 DRAIN-20 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE-30 VOLTAGE1 GATEFeatures:2*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)SOURCERDS(ON)
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
