WTD9435 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WTD9435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 187 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO252
WTD9435 Datasheet (PDF)
..1. Size:377K wietron
wtd9435.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
wtd9435.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
WTD9435Surface Mount P-Channel EnhancementDRAIN CURRENTMode POWER MOSFET3 DRAIN-20 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE-30 VOLTAGE1 GATEFeatures:2*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)SOURCERDS(ON)
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .