WTD9575 Todos los transistores

 

WTD9575 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WTD9575

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TO252

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WTD9575 datasheet

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WTD9575

WTD9575 Surface Mount P-Channel Enhancement DRAIN CURRENT Mode POWER MOSFET 3 DRAIN -15 AMPERES P b Lead(Pb)-Free DRAIN SOURCE VOLTAGE -60 VOLTAGE 1 GATE Features 2 *Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON) 4 SOURCE RDS(ON)

Otros transistores... WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 , WTC9435 , WTD40N03 , WTD9435 , 2N60 , WTD9973 , WTG3043 , WTK4224 , WTK4228 , WTK4424 , WTK4435 , WTK4501 , WTK6679 .

History: WMM020N06HG4 | WSF50N10G

 

 

 

 

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