WTD9575 Todos los transistores

 

WTD9575 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WTD9575
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de WTD9575 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WTD9575 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  wietron
 wtd9575.pdf pdf_icon

WTD9575

WTD9575Surface Mount P-Channel EnhancementDRAIN CURRENTMode POWER MOSFET3 DRAIN-15 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE-60 VOLTAGE1 GATEFeatures:2*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)4SOURCE RDS(ON)

Otros transistores... WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 , WTC9435 , WTD40N03 , WTD9435 , IRF830 , WTD9973 , WTG3043 , WTK4224 , WTK4228 , WTK4424 , WTK4435 , WTK4501 , WTK6679 .

History: KTK5164S | IRLR3303PBF | SST65R650S2 | IPP039N04L | WMM26N60C4 | IRF8707PBF-1 | IPN80R600P7

 

 
Back to Top

 


 
.