WTD9575 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTD9575
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de WTD9575 MOSFET
WTD9575 Datasheet (PDF)
wtd9575.pdf

WTD9575Surface Mount P-Channel EnhancementDRAIN CURRENTMode POWER MOSFET3 DRAIN-15 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE-60 VOLTAGE1 GATEFeatures:2*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)4SOURCE RDS(ON)
Otros transistores... WTC2305 , WTC2305DS , WTC2306 , WTC2312 , WTC4501 , WTC9435 , WTD40N03 , WTD9435 , IRF830 , WTD9973 , WTG3043 , WTK4224 , WTK4228 , WTK4424 , WTK4435 , WTK4501 , WTK6679 .
History: 2N4003NLT1
History: 2N4003NLT1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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