Справочник MOSFET. WTD9575

 

WTD9575 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WTD9575
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WTD9575 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  wietron
 wtd9575.pdf pdf_icon

WTD9575

WTD9575Surface Mount P-Channel EnhancementDRAIN CURRENTMode POWER MOSFET3 DRAIN-15 AMPERESP b Lead(Pb)-FreeDRAIN SOURCE VOLTAGE-60 VOLTAGE1 GATEFeatures:2*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)4SOURCE RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP2606AGY-HF | SIHG47N60S | HMS15N65 | HGI110N08AL | UM6K33N | INK0001BC1 | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.