WTN9575 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTN9575
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de WTN9575 MOSFET
WTN9575 Datasheet (PDF)
wtn9575.pdf

WTN9575Surface Mount P-ChannelDRAIN CURRENTEnhancement Mode Power MOSFET-4.0 AMPERES2,4 DRAINDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free-60 VOLTAGE1GATE41. GATE2. DRAINFeatures:13. SOURCE32SOURCE 4. DRAIN 3* Super high dense cell design for low RDS(ON) RDS(ON)
Otros transistores... WTK9410 , WTK9431 , WTK9435 , WTK9971 , WTL2602 , WTL2622 , WTM2310A , WTN9435 , AON7403 , WTN9973 , WTU1333 , WTX1012 , WTX7002 , CEA6200 , CEA6426 , CEB01N65 , CEB01N6G .
History: AP4501AGM-HF | ASDM65N18S | SGP100N025 | PJL9418 | 6N80A
History: AP4501AGM-HF | ASDM65N18S | SGP100N025 | PJL9418 | 6N80A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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