WTN9575 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTN9575
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Encapsulados: SOT223
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WTN9575 datasheet
wtn9575.pdf
WTN9575 Surface Mount P-Channel DRAIN CURRENT Enhancement Mode Power MOSFET -4.0 AMPERES 2,4 DRAIN DRAIN SOURCE VOLTAGE P b Lead(Pb)-Free -60 VOLTAGE 1 GATE 4 1. GATE 2. DRAIN Features 1 3. SOURCE 3 2 SOURCE 4. DRAIN 3 * Super high dense cell design for low RDS(ON) RDS(ON)
Otros transistores... WTK9410 , WTK9431 , WTK9435 , WTK9971 , WTL2602 , WTL2622 , WTM2310A , WTN9435 , RU7088R , WTN9973 , WTU1333 , WTX1012 , WTX7002 , CEA6200 , CEA6426 , CEB01N65 , CEB01N6G .
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