WTN9575 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WTN9575
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WTN9575

WTN9575 Datasheet (PDF)

..1. Size:1313K wietron
wtn9575.pdf

WTN9575Surface Mount P-ChannelDRAIN CURRENTEnhancement Mode Power MOSFET-4.0 AMPERES2,4 DRAINDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free-60 VOLTAGE1GATE41. GATE2. DRAINFeatures:13. SOURCE32SOURCE 4. DRAIN 3* Super high dense cell design for low RDS(ON) RDS(ON)

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Liste

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