WTN9575. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WTN9575

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для WTN9575

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WTN9575 даташит

 ..1. Size:1313K  wietron
 wtn9575.pdf pdf_icon

WTN9575

WTN9575 Surface Mount P-Channel DRAIN CURRENT Enhancement Mode Power MOSFET -4.0 AMPERES 2,4 DRAIN DRAIN SOURCE VOLTAGE P b Lead(Pb)-Free -60 VOLTAGE 1 GATE 4 1. GATE 2. DRAIN Features 1 3. SOURCE 3 2 SOURCE 4. DRAIN 3 * Super high dense cell design for low RDS(ON) RDS(ON)

Другие IGBT... WTK9410, WTK9431, WTK9435, WTK9971, WTL2602, WTL2622, WTM2310A, WTN9435, RU7088R, WTN9973, WTU1333, WTX1012, WTX7002, CEA6200, CEA6426, CEB01N65, CEB01N6G