WTN9575 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WTN9575
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOT223
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
WTN9575 Datasheet (PDF)
wtn9575.pdf

WTN9575Surface Mount P-ChannelDRAIN CURRENTEnhancement Mode Power MOSFET-4.0 AMPERES2,4 DRAINDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free-60 VOLTAGE1GATE41. GATE2. DRAINFeatures:13. SOURCE32SOURCE 4. DRAIN 3* Super high dense cell design for low RDS(ON) RDS(ON)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RU20N65P
History: RU20N65P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458