WTX1012 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WTX1012

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: SC89

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WTX1012 datasheet

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WTX1012

WTX1012 N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 3 P b Lead(Pb)-Free 1 2 FEATURES SC-89 * Power Mosfet 1.8V Rated * Gate-Source ESD Protected 2000 V * High-Side Switching Drain * Low On-Resistance 0.7 3 * Low Threshold 0.8 V (typ) * Fast Switching Speed 10 ns BENEFITS * Ease in Driving Switches * Low-Voltage Operation 1 (Top View) 2 * High-Speed Circuits * Low Ba

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WTX1012

WTX1013 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET P b Lead(Pb)-Free 3 FEATURES 1 2 * TrenchFET@ Power MOSFET 1.8-V Rated * Gate-Source ESD Protected 2000V * High-Side Switching SC-89 * Low On-Resistance 1.2 * Low Threshold 0.8 V (typ) Drain * Fast Switching Speed 14 ns * S-Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Qualified and PPAP Capable BENEFITS * Ease in Drivi

Otros transistores... WTK9971, WTL2602, WTL2622, WTM2310A, WTN9435, WTN9575, WTN9973, WTU1333, AO4407A, WTX7002, CEA6200, CEA6426, CEB01N65, CEB01N6G, CEB02N65A, CEB02N65G, CEB02N6A