Справочник MOSFET. WTX1012

 

WTX1012 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WTX1012
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SC89
 

 Аналог (замена) для WTX1012

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WTX1012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  wietron
 wtx1012.pdf pdf_icon

WTX1012

WTX1012N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET3P b Lead(Pb)-Free12FEATURES:SC-89* Power Mosfet : 1.8V Rated* Gate-Source ESD Protected: 2000 V* High-Side SwitchingDrain* Low On-Resistance: 0.73* Low Threshold: 0.8 V (typ)* Fast Switching Speed: 10 nsBENEFITS:* Ease in Driving Switches* Low-Voltage Operation1 (Top View) 2* High-Speed Circuits* Low Ba

 8.1. Size:541K  wietron
 wtx1013.pdf pdf_icon

WTX1012

WTX1013P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETP b Lead(Pb)-Free3FEATURES:12* TrenchFET@ Power MOSFET: 1.8-V Rated* Gate-Source ESD Protected: 2000V* High-Side SwitchingSC-89* Low On-Resistance: 1.2* Low Threshold: 0.8 V (typ)Drain* Fast Switching Speed: 14 ns* S-Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Qualified and PPAP CapableBENEFITS:* Ease in Drivi

Другие MOSFET... WTK9971 , WTL2602 , WTL2622 , WTM2310A , WTN9435 , WTN9575 , WTN9973 , WTU1333 , AO3407 , WTX7002 , CEA6200 , CEA6426 , CEB01N65 , CEB01N6G , CEB02N65A , CEB02N65G , CEB02N6A .

History: IRLHS6242

 

 
Back to Top

 


 
.