WTX1012 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WTX1012
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: SC89
Аналог (замена) для WTX1012
WTX1012 Datasheet (PDF)
wtx1012.pdf

WTX1012N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET3P b Lead(Pb)-Free12FEATURES:SC-89* Power Mosfet : 1.8V Rated* Gate-Source ESD Protected: 2000 V* High-Side SwitchingDrain* Low On-Resistance: 0.73* Low Threshold: 0.8 V (typ)* Fast Switching Speed: 10 nsBENEFITS:* Ease in Driving Switches* Low-Voltage Operation1 (Top View) 2* High-Speed Circuits* Low Ba
wtx1013.pdf

WTX1013P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETP b Lead(Pb)-Free3FEATURES:12* TrenchFET@ Power MOSFET: 1.8-V Rated* Gate-Source ESD Protected: 2000V* High-Side SwitchingSC-89* Low On-Resistance: 1.2* Low Threshold: 0.8 V (typ)Drain* Fast Switching Speed: 14 ns* S-Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Qualified and PPAP CapableBENEFITS:* Ease in Drivi
Другие MOSFET... WTK9971 , WTL2602 , WTL2622 , WTM2310A , WTN9435 , WTN9575 , WTN9973 , WTU1333 , BS170 , WTX7002 , CEA6200 , CEA6426 , CEB01N65 , CEB01N6G , CEB02N65A , CEB02N65G , CEB02N6A .
History: IRF7726 | DMN2170U | 2SJ246L
History: IRF7726 | DMN2170U | 2SJ246L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142