CEA6200 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEA6200

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: SOT89

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CEA6200 datasheet

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CEA6200

CEA6200 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 60V, 1.8A, RDS(ON) = 250m @VGS = 10V. RDS(ON) = 330m @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-89 package. G D S D G SOT-89 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units

Otros transistores... WTL2622, WTM2310A, WTN9435, WTN9575, WTN9973, WTU1333, WTX1012, WTX7002, IRFP064N, CEA6426, CEB01N65, CEB01N6G, CEB02N65A, CEB02N65G, CEB02N6A, CEB02N6G, CEB02N7G