Справочник MOSFET. CEA6200

 

CEA6200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEA6200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для CEA6200

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEA6200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:749K  cet
 cea6200.pdf pdf_icon

CEA6200

CEA6200N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES60V, 1.8A, RDS(ON) = 250m @VGS = 10V. RDS(ON) = 330m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-89 package.GDSDGSOT-89SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit Units

Другие MOSFET... WTL2622 , WTM2310A , WTN9435 , WTN9575 , WTN9973 , WTU1333 , WTX1012 , WTX7002 , 5N50 , CEA6426 , CEB01N65 , CEB01N6G , CEB02N65A , CEB02N65G , CEB02N6A , CEB02N6G , CEB02N7G .

History: 2SK2533 | HSP15810C | HUF75842S3ST | IPD80R1K4CE | PTP23N10A | AM7411P

 

 
Back to Top

 


 
.