CEA6200. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEA6200

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для CEA6200

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEA6200 даташит

 ..1. Size:749K  cet
 cea6200.pdf pdf_icon

CEA6200

CEA6200 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 60V, 1.8A, RDS(ON) = 250m @VGS = 10V. RDS(ON) = 330m @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-89 package. G D S D G SOT-89 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units

Другие IGBT... WTL2622, WTM2310A, WTN9435, WTN9575, WTN9973, WTU1333, WTX1012, WTX7002, IRFP064N, CEA6426, CEB01N65, CEB01N6G, CEB02N65A, CEB02N65G, CEB02N6A, CEB02N6G, CEB02N7G