CEA6426 Todos los transistores

 

CEA6426 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEA6426
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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CEA6426 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  cet
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CEA6426

CEA6426N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 4.6A, RDS(ON) = 90m @VGS = 10V. RDS(ON) = 110m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-89 package.GDSDGSOT-89SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source

 ..2. Size:2072K  cn vbsemi
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CEA6426

CEA6426www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 4.5 V 7.1RoHS29 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise n

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History: IRF5803PBF | FS14SM-16A | SRC60R075BSD88 | FMC11N60E | FHP830B | IRF7815TR | IRF7103PBF-1

 

 
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