CEA6426 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEA6426

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SOT89

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CEA6426 datasheet

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CEA6426

CEA6426 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 4.6A, RDS(ON) = 90m @VGS = 10V. RDS(ON) = 110m @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-89 package. G D S D G SOT-89 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source

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CEA6426

CEA6426 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 4.5 V 7.1 RoHS 29 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise n

Otros transistores... WTM2310A, WTN9435, WTN9575, WTN9973, WTU1333, WTX1012, WTX7002, CEA6200, AO4468, CEB01N65, CEB01N6G, CEB02N65A, CEB02N65G, CEB02N6A, CEB02N6G, CEB02N7G, CEB02N9