Справочник MOSFET. CEA6426

 

CEA6426 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEA6426
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для CEA6426

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEA6426 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  cet
 cea6426.pdf pdf_icon

CEA6426

CEA6426N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 4.6A, RDS(ON) = 90m @VGS = 10V. RDS(ON) = 110m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-89 package.GDSDGSOT-89SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-Source

 ..2. Size:2072K  cn vbsemi
 cea6426.pdf pdf_icon

CEA6426

CEA6426www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 4.5 V 7.1RoHS29 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise n

Другие MOSFET... WTM2310A , WTN9435 , WTN9575 , WTN9973 , WTU1333 , WTX1012 , WTX7002 , CEA6200 , IRFP064N , CEB01N65 , CEB01N6G , CEB02N65A , CEB02N65G , CEB02N6A , CEB02N6G , CEB02N7G , CEB02N9 .

History: APT10090BFLLG | IRFH8318PBF | FR5505 | IRF5803PBF | FQP7N40 | NTD3813N-1G | SD215DE

 

 
Back to Top

 


 
.