CEA6426. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEA6426

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для CEA6426

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEA6426 даташит

 ..1. Size:426K  cet
 cea6426.pdf pdf_icon

CEA6426

CEA6426 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 4.6A, RDS(ON) = 90m @VGS = 10V. RDS(ON) = 110m @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-89 package. G D S D G SOT-89 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source

 ..2. Size:2072K  cn vbsemi
 cea6426.pdf pdf_icon

CEA6426

CEA6426 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 4.5 V 7.1 RoHS 29 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise n

Другие IGBT... WTM2310A, WTN9435, WTN9575, WTN9973, WTU1333, WTX1012, WTX7002, CEA6200, AO4468, CEB01N65, CEB01N6G, CEB02N65A, CEB02N65G, CEB02N6A, CEB02N6G, CEB02N7G, CEB02N9