CEB01N6G Todos los transistores

 

CEB01N6G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB01N6G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 41 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 11 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 9.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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CEB01N6G Datasheet (PDF)

1.1. cep01n6g ceb01n6g cef01n6g.pdf Size:368K _cet

CEB01N6G
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CEP01N6G/CEB01N6G CEF01N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP01N6G 600V 9.3Ω 1A 10V CEB01N6G 600V 9.3Ω 1A 10V CEF01N6G 600V 9.3Ω 1A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES S TO-263(DD-PA

3.1. cep01n65 ceb01n65 cef01n65.pdf Size:424K _cet

CEB01N6G
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CEP01N65/CEB01N65 CEF01N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP01N65 650V 10.5Ω 1.3A 10V CEB01N65 650V 10.5Ω 1.3A 10V CEF01N65 650V 10.5Ω 1.3A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SE

 

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