Справочник MOSFET. CEB01N6G

 

CEB01N6G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CEB01N6G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 11 ns

Выходная емкость (Cd): 55 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 9.3 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB01N6G

 

 

CEB01N6G Datasheet (PDF)

1.1. cep01n6g ceb01n6g cef01n6g.pdf Size:368K _cet

CEB01N6G
CEB01N6G

CEP01N6G/CEB01N6G CEF01N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP01N6G 600V 9.3Ω 1A 10V CEB01N6G 600V 9.3Ω 1A 10V CEF01N6G 600V 9.3Ω 1A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES S TO-263(DD-PA

3.1. cep01n65 ceb01n65 cef01n65.pdf Size:424K _cet

CEB01N6G
CEB01N6G

CEP01N65/CEB01N65 CEF01N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP01N65 650V 10.5Ω 1.3A 10V CEB01N65 650V 10.5Ω 1.3A 10V CEF01N65 650V 10.5Ω 1.3A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SE

 

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top