Справочник MOSFET. CEB01N6G

 

CEB01N6G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB01N6G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB01N6G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB01N6G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  cet
 cep01n6g ceb01n6g cef01n6g.pdf pdf_icon

CEB01N6G

CEP01N6G/CEB01N6G CEF01N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP01N6G 600V 9.3 1A 10VCEB01N6G 600V 9.3 1A 10VCEF01N6G 600V 9.3 1A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESSTO-263(DD-PA

 7.1. Size:424K  cet
 cep01n65 ceb01n65 cef01n65.pdf pdf_icon

CEB01N6G

CEP01N65/CEB01N65 CEF01N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP01N65 650V 10.5 1.3A 10VCEB01N65 650V 10.5 1.3A 10VCEF01N65 650V 10.5 1.3A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SE

Другие MOSFET... WTN9575 , WTN9973 , WTU1333 , WTX1012 , WTX7002 , CEA6200 , CEA6426 , CEB01N65 , IRFZ44N , CEB02N65A , CEB02N65G , CEB02N6A , CEB02N6G , CEB02N7G , CEB02N9 , CEB03N8 , CEB04N6 .

History: MTE05N10E3 | MEE4292T

 

 
Back to Top

 


 
.