CEB01N6G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB01N6G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.3 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB01N6G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB01N6G даташит

 ..1. Size:368K  cet
 cep01n6g ceb01n6g cef01n6g.pdf pdf_icon

CEB01N6G

CEP01N6G/CEB01N6G CEF01N6G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP01N6G 600V 9.3 1A 10V CEB01N6G 600V 9.3 1A 10V CEF01N6G 600V 9.3 1A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES S TO-263(DD-PA

 7.1. Size:424K  cet
 cep01n65 ceb01n65 cef01n65.pdf pdf_icon

CEB01N6G

CEP01N65/CEB01N65 CEF01N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP01N65 650V 10.5 1.3A 10V CEB01N65 650V 10.5 1.3A 10V CEF01N65 650V 10.5 1.3A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SE

Другие IGBT... WTN9575, WTN9973, WTU1333, WTX1012, WTX7002, CEA6200, CEA6426, CEB01N65, IRFZ44N, CEB02N65A, CEB02N65G, CEB02N6A, CEB02N6G, CEB02N7G, CEB02N9, CEB03N8, CEB04N6