CEB06N7 Todos los transistores

 

CEB06N7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB06N7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 29 nC

Tiempo de elevación (tr): 73 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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CEB06N7 Datasheet (PDF)

1.1. cep06n7 ceb06n7 cef06n7.pdf Size:375K _cet

CEB06N7
CEB06N7

CEP06N7/CEB06N7 CEF06N7 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP06N7 700V 2? 6A 10V CEB06N7 700V 2? 6A 10V CEF06N7 700V 2? 6A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES S TO-263(DD-PAK) T

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