CEB06N7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEB06N7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 29 nC
Tiempo de elevación (tr): 73 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO263
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CEB06N7 Datasheet (PDF)
1.1. cep06n7 ceb06n7 cef06n7.pdf 
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CEP06N7/CEB06N7 CEF06N7 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP06N7 700V 2? 6A 10V CEB06N7 700V 2? 6A 10V CEF06N7 700V 2? 6A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES S TO-263(DD-PAK) T
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