CEB06N7 Todos los transistores

 

CEB06N7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB06N7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB06N7 datasheet

 ..1. Size:375K  cet
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CEB06N7

CEP06N7/CEB06N7 CEF06N7 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP06N7 700V 2 6A 10V CEB06N7 700V 2 6A 10V CEF06N7 700V 2 6A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES S TO-263(D

Otros transistores... CEB02N6G , CEB02N7G , CEB02N9 , CEB03N8 , CEB04N6 , CEB04N65 , CEB04N7G , CEB05N65 , IRLZ44N , CEB07N65 , CEB07N65A , CEB07N7 , CEF02N65A , CEF02N65G , CEF02N6A , CEF02N6G , CEF02N7G .

 

 
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