CEB06N7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB06N7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB06N7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB06N7 даташит

 ..1. Size:375K  cet
 cep06n7 ceb06n7 cef06n7.pdf pdf_icon

CEB06N7

CEP06N7/CEB06N7 CEF06N7 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP06N7 700V 2 6A 10V CEB06N7 700V 2 6A 10V CEF06N7 700V 2 6A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES S TO-263(D

Другие IGBT... CEB02N6G, CEB02N7G, CEB02N9, CEB03N8, CEB04N6, CEB04N65, CEB04N7G, CEB05N65, IRLZ44N, CEB07N65, CEB07N65A, CEB07N7, CEF02N65A, CEF02N65G, CEF02N6A, CEF02N6G, CEF02N7G