Справочник MOSFET. CEB06N7

 

CEB06N7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB06N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB06N7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB06N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  cet
 cep06n7 ceb06n7 cef06n7.pdf pdf_icon

CEB06N7

CEP06N7/CEB06N7CEF06N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP06N7 700V 2 6A 10VCEB06N7 700V 2 6A 10VCEF06N7 700V 2 6A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESSTO-263(D

Другие MOSFET... CEB02N6G , CEB02N7G , CEB02N9 , CEB03N8 , CEB04N6 , CEB04N65 , CEB04N7G , CEB05N65 , IRFP260N , CEB07N65 , CEB07N65A , CEB07N7 , CEF02N65A , CEF02N65G , CEF02N6A , CEF02N6G , CEF02N7G .

History: IPD60R800CE

 

 
Back to Top

 


 
.