CEF06N7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEF06N7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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CEF06N7 datasheet

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CEF06N7

CEP06N7/CEB06N7 CEF06N7 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP06N7 700V 2 6A 10V CEB06N7 700V 2 6A 10V CEF06N7 700V 2 6A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES S TO-263(D

Otros transistores... CEF02N6G, CEF02N7G, CEF02N9, CEF03N8, CEF04N6, CEF04N65, CEF04N7G, CEF05N65, IRF630, CEF07N65, CEF07N65A, CEF07N7, CEP01N65, CEP01N6G, CEP02N65A, CEP02N65G, CEP02N6A