CEF06N7 Todos los transistores

 

CEF06N7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEF06N7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de CEF06N7 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEF06N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  cet
 cep06n7 ceb06n7 cef06n7.pdf pdf_icon

CEF06N7

CEP06N7/CEB06N7CEF06N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP06N7 700V 2 6A 10VCEB06N7 700V 2 6A 10VCEF06N7 700V 2 6A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESSTO-263(D

Otros transistores... CEF02N6G , CEF02N7G , CEF02N9 , CEF03N8 , CEF04N6 , CEF04N65 , CEF04N7G , CEF05N65 , 7N65 , CEF07N65 , CEF07N65A , CEF07N7 , CEP01N65 , CEP01N6G , CEP02N65A , CEP02N65G , CEP02N6A .

 

 
Back to Top

 


 
.