CEF06N7 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEF06N7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для CEF06N7
CEF06N7 Datasheet (PDF)
cep06n7 ceb06n7 cef06n7.pdf

CEP06N7/CEB06N7CEF06N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP06N7 700V 2 6A 10VCEB06N7 700V 2 6A 10VCEF06N7 700V 2 6A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESSTO-263(D
Другие MOSFET... CEF02N6G , CEF02N7G , CEF02N9 , CEF03N8 , CEF04N6 , CEF04N65 , CEF04N7G , CEF05N65 , IRF9540 , CEF07N65 , CEF07N65A , CEF07N7 , CEP01N65 , CEP01N6G , CEP02N65A , CEP02N65G , CEP02N6A .
History: AP75T10AGP | NCE4612SP | DMG4496SSS | TPCA8026 | 10NN15 | BUK761R7-40E | 2SK2826-ZJ
History: AP75T10AGP | NCE4612SP | DMG4496SSS | TPCA8026 | 10NN15 | BUK761R7-40E | 2SK2826-ZJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733