Справочник MOSFET. CEF06N7

 

CEF06N7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF06N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF06N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  cet
 cep06n7 ceb06n7 cef06n7.pdf pdf_icon

CEF06N7

CEP06N7/CEB06N7CEF06N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP06N7 700V 2 6A 10VCEB06N7 700V 2 6A 10VCEF06N7 700V 2 6A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESSTO-263(D

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVGP066R1NL5 | UT9435HZ | SVGP104R1NL5 | HTS220C04 | UT3400G-AE3-R | SWP086R68E7T | UT3414

 

 
Back to Top

 


 
.