FDB8030L Todos los transistores

 

FDB8030L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB8030L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 185 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDB8030L Datasheet (PDF)

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FDB8030L

November 1999FDP8030L/FDB8030LN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic level MOSFET has been 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0035 @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 0.0045 @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critic

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FDB8030L

FDP8030L/FDB8030LN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic level MOSFET has been 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0035 @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 0.0045 @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critical DC electrica

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History: VS3620DP-G | 2SJ152

 

 
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