Справочник MOSFET. FDB8030L

 

FDB8030L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB8030L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 185 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO263AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB8030L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  fairchild semi
 fdp8030l fdb8030l.pdf pdf_icon

FDB8030L

November 1999FDP8030L/FDB8030LN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic level MOSFET has been 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0035 @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 0.0045 @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critic

 ..2. Size:282K  onsemi
 fdp8030l fdb8030l.pdf pdf_icon

FDB8030L

FDP8030L/FDB8030LN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic level MOSFET has been 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0035 @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 0.0045 @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critical DC electrica

Другие MOSFET... FDB6030L , FDB6035AL , FDB6035L , FDB603AL , FDB6670AL , FDB7030BL , FDB7030L , FDB7045L , AON7506 , AS3401 , FDC5612 , FDC6301N , FDC6302P , FDC6303N , FDC6304P , FDC6305N , FDC6306P .

History: SM2207PSQG | WST3400A | RSS065N03TB | IXTQ480P2 | IRF5210 | SSH25N35 | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.