FDB8030L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB8030L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 185 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO263AB

Аналог (замена) для FDB8030L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB8030L даташит

 ..1. Size:60K  fairchild semi
 fdp8030l fdb8030l.pdf pdf_icon

FDB8030L

November 1999 FDP8030L/FDB8030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel Logic level MOSFET has been 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0035 @ VGS = 10 V designed specifically to improve the overall efficiency of RDS(ON) = 0.0045 @ VGS = 4.5 V DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Critic

 ..2. Size:282K  onsemi
 fdp8030l fdb8030l.pdf pdf_icon

FDB8030L

FDP8030L/FDB8030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel Logic level MOSFET has been 80 A, 30 V. RDS(ON) = 0.0035 @ VGS = 10 V designed specifically to improve the overall efficiency of RDS(ON) = 0.0045 @ VGS = 4.5 V DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Critical DC electrica

Другие IGBT... FDB6030L, FDB6035AL, FDB6035L, FDB603AL, FDB6670AL, FDB7030BL, FDB7030L, FDB7045L, 13N50, AS3401, FDC5612, FDC6301N, FDC6302P, FDC6303N, FDC6304P, FDC6305N, FDC6306P