CEB08N8 Todos los transistores

 

CEB08N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB08N8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 208 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 39 nC

Tiempo de elevación (tr): 73 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 150 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.55 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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CEB08N8 Datasheet (PDF)

1.1. cep08n8 ceb08n8 cef08n8.pdf Size:434K _cet

CEB08N8
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CEP08N8/CEB08N8 CEF08N8 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP08N8 800V 1.55? 8A 10V CEB08N8 800V 1.55? 8A 10V CEF08N8 800V 1.55? 8A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(D

4.1. cep08n6a ceb08n6a cef08n6a.pdf Size:375K _cet

CEB08N8
CEB08N8

CEP08N6A/CEB08N6A CEF08N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP08N6A 600V 1.25? 7.5A 10V CEB08N6A 600V 1.25? 7.5A 10V CEF08N6A 600V 1.25? 7.5A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES

 

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