CEB08N8 Todos los transistores

 

CEB08N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB08N8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB08N8 Datasheet (PDF)

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CEB08N8

CEP08N8/CEB08N8CEF08N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP08N8 800V 1.55 8A 10VCEB08N8 800V 1.55 8A 10VCEF08N8 800V 1.55 8A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES

 8.1. Size:375K  cet
 cep08n6a ceb08n6a cef08n6a.pdf pdf_icon

CEB08N8

CEP08N6A/CEB08N6ACEF08N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP08N6A 600V 1.25 7.5A 10VCEB08N6A 600V 1.25 7.5A 10VCEF08N6A 600V 1.25 7.5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GCEB SERIESCEP SERIES CE

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History: DM10N65C-2 | FMI13N60E | 2N5640

 

 
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