Справочник MOSFET. CEB08N8

 

CEB08N8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB08N8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB08N8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB08N8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  cet
 cep08n8 ceb08n8 cef08n8.pdf pdf_icon

CEB08N8

CEP08N8/CEB08N8CEF08N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP08N8 800V 1.55 8A 10VCEB08N8 800V 1.55 8A 10VCEF08N8 800V 1.55 8A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES

 8.1. Size:375K  cet
 cep08n6a ceb08n6a cef08n6a.pdf pdf_icon

CEB08N8

CEP08N6A/CEB08N6ACEF08N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP08N6A 600V 1.25 7.5A 10VCEB08N6A 600V 1.25 7.5A 10VCEF08N6A 600V 1.25 7.5A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GCEB SERIESCEP SERIES CE

Другие MOSFET... CEP05N65 , CEP06N7 , CEP07N65 , CEP07N65A , CEP07N7 , CEB13N5A , CEF13N5A , CEP13N5A , IRLB4132 , CEF08N8 , CEP08N8 , CEB20A03 , CEP20A03 , CEB14G04 , CEP14G04 , CEB15A03 , CEP15A03 .

 

 
Back to Top

 


 
.