CEB16N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB16N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 60 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 105 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.12 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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CEB16N10 Datasheet (PDF)

1.1. cep16n10l ceb16n10l.pdf Size:645K _cet

CEP16N10L/CEB16N10L PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 15.2A, RDS(ON) = 115m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m? @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM R

1.2. cep16n10 ceb16n10.pdf Size:534K _cet

CEP16N10/CEB16N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 15.2A, RDS(ON) = 120m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted Par

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Liste

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