Справочник MOSFET. CEB16N10

 

CEB16N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB16N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB16N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB16N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:534K  cet
 cep16n10 ceb16n10.pdf pdf_icon

CEB16N10

CEP16N10/CEB16N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 15.2A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

 0.1. Size:645K  cet
 cep16n10l ceb16n10l.pdf pdf_icon

CEB16N10

CEP16N10L/CEB16N10LPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 15.2A, RDS(ON) = 115m @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MA

Другие MOSFET... CEB15A03 , CEP15A03 , CEB14A04 , CEP14A04 , CEB140N10 , CEP140N10 , CEB16N10L , CEP16N10L , IRFZ46N , CEP16N10 , CEB13N10L , CEP13N10L , CEB13N10 , CEP13N10 , CEB14N5 , CEF14N5 , CEP14N5 .

History: IXFH16N50P | TPR65R120M | FQB2N90TM | 2SK4067I | IXTH30N60P | P1060AT | OSG60R320FT3ZF

 

 
Back to Top

 


 
.