CEF13N5 Todos los transistores

 

CEF13N5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEF13N5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de CEF13N5 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEF13N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  cet
 cep13n5 ceb13n5 cef13n5.pdf pdf_icon

CEF13N5

CEP13N5/CEB13N5 CEF13N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP13N5 500V 0.48 13A 10VCEB13N5 500V 0.48 13A 10VCEF13N5 500V 0.48 13A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES

 0.1. Size:435K  cet
 cep13n5a ceb13n5a cef13n5a.pdf pdf_icon

CEF13N5

CEP13N5A/CEB13N5ACEF13N5APRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP13N5A 500V 0.48 13A 10VCEB13N5A 500V 0.48 13A 10VCEF13N5A 500V 0.48 13A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES C

Otros transistores... CEP13N10 , CEB14N5 , CEF14N5 , CEP14N5 , CEB13N5 , CEP13N5 , CEB12N5 , CEF12N5 , IRF730 , CEP12N5 , CEB12N6 , CEF12N6 , CEP12N6 , CEP10N4 , CEB10N4 , CEI10N4 , CEF10N4 .

History: SIA483DJ | IRFTS8342 | DMP21D0UFB4-P | HSU4094 | 2SJ389L | 2SK2024-01

 

 
Back to Top

 


 
.