Справочник MOSFET. CEF13N5

 

CEF13N5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF13N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CEF13N5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF13N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  cet
 cep13n5 ceb13n5 cef13n5.pdf pdf_icon

CEF13N5

CEP13N5/CEB13N5 CEF13N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP13N5 500V 0.48 13A 10VCEB13N5 500V 0.48 13A 10VCEF13N5 500V 0.48 13A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIES

 0.1. Size:435K  cet
 cep13n5a ceb13n5a cef13n5a.pdf pdf_icon

CEF13N5

CEP13N5A/CEB13N5ACEF13N5APRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP13N5A 500V 0.48 13A 10VCEB13N5A 500V 0.48 13A 10VCEF13N5A 500V 0.48 13A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES C

Другие MOSFET... CEP13N10 , CEB14N5 , CEF14N5 , CEP14N5 , CEB13N5 , CEP13N5 , CEB12N5 , CEF12N5 , IRF730 , CEP12N5 , CEB12N6 , CEF12N6 , CEP12N6 , CEP10N4 , CEB10N4 , CEI10N4 , CEF10N4 .

History: SIR662DP | FMV13N60ES | DMP3007SCG | NP22N055SLE | CTZ2302A | AO3402 | WFP3205

 

 
Back to Top

 


 
.