CEF13N5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEF13N5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CEF13N5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF13N5 даташит

 ..1. Size:412K  cet
 cep13n5 ceb13n5 cef13n5.pdf pdf_icon

CEF13N5

CEP13N5/CEB13N5 CEF13N5 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP13N5 500V 0.48 13A 10V CEB13N5 500V 0.48 13A 10V CEF13N5 500V 0.48 13A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES

 0.1. Size:435K  cet
 cep13n5a ceb13n5a cef13n5a.pdf pdf_icon

CEF13N5

CEP13N5A/CEB13N5A CEF13N5A PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP13N5A 500V 0.48 13A 10V CEB13N5A 500V 0.48 13A 10V CEF13N5A 500V 0.48 13A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES C

Другие IGBT... CEP13N10, CEB14N5, CEF14N5, CEP14N5, CEB13N5, CEP13N5, CEB12N5, CEF12N5, IRFB31N20D, CEP12N5, CEB12N6, CEF12N6, CEP12N6, CEP10N4, CEB10N4, CEI10N4, CEF10N4