CEB09N7G Todos los transistores

 

CEB09N7G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB09N7G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de CEB09N7G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEB09N7G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  cet
 cep09n7g ceb09n7g cef09n7g.pdf pdf_icon

CEB09N7G

CEP09N7G/CEB09N7G CEF09N7GPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP09N7G 700V 1 9A 10VCEB09N7G 700V 1 9A 10VCEF09N7G 700V 1 9A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-26

Otros transistores... CEP12N6 , CEP10N4 , CEB10N4 , CEI10N4 , CEF10N4 , CEB10N6 , CEF10N6 , CEP10N6 , 2SK3918 , CEF09N7G , CEP09N7G , CEB08N6A , CEF08N6A , CEP08N6A , CEF1186 , CEB1186 , CEP1186 .

History: AP4411GM | AP4503GM-HF | AP02N60J-H | AP4511GM

 

 
Back to Top

 


 
.