CEB09N7G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB09N7G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO263

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CEB09N7G datasheet

 ..1. Size:419K  cet
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CEB09N7G

CEP09N7G/CEB09N7G CEF09N7G PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP09N7G 700V 1 9A 10V CEB09N7G 700V 1 9A 10V CEF09N7G 700V 1 9A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-26

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