CEB09N7G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEB09N7G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 166 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
Тип корпуса: TO263
CEB09N7G Datasheet (PDF)
..1. Size:419K cet
cep09n7g ceb09n7g cef09n7g.pdf
cep09n7g ceb09n7g cef09n7g.pdf
CEP09N7G/CEB09N7G CEF09N7GPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP09N7G 700V 1 9A 10VCEB09N7G 700V 1 9A 10VCEF09N7G 700V 1 9A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-26
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
