CEB09N7G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB09N7G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB09N7G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB09N7G даташит

 ..1. Size:419K  cet
 cep09n7g ceb09n7g cef09n7g.pdf pdf_icon

CEB09N7G

CEP09N7G/CEB09N7G CEF09N7G PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP09N7G 700V 1 9A 10V CEB09N7G 700V 1 9A 10V CEF09N7G 700V 1 9A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-26

Другие IGBT... CEP12N6, CEP10N4, CEB10N4, CEI10N4, CEF10N4, CEB10N6, CEF10N6, CEP10N6, EMB04N03H, CEF09N7G, CEP09N7G, CEB08N6A, CEF08N6A, CEP08N6A, CEF1186, CEB1186, CEP1186