Справочник MOSFET. CEB09N7G

 

CEB09N7G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB09N7G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB09N7G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB09N7G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  cet
 cep09n7g ceb09n7g cef09n7g.pdf pdf_icon

CEB09N7G

CEP09N7G/CEB09N7G CEF09N7GPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP09N7G 700V 1 9A 10VCEB09N7G 700V 1 9A 10VCEF09N7G 700V 1 9A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-26

Другие MOSFET... CEP12N6 , CEP10N4 , CEB10N4 , CEI10N4 , CEF10N4 , CEB10N6 , CEF10N6 , CEP10N6 , 2SK3918 , CEF09N7G , CEP09N7G , CEB08N6A , CEF08N6A , CEP08N6A , CEF1186 , CEB1186 , CEP1186 .

History: IXTT74N20P | PN4119 | FMV10N60E | MDP12N50TH | SLF12N65C | AFN1330S | IPD50N03S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.