CEB21A2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB21A2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 43 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 216 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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CEB21A2 Datasheet (PDF)

1.1. cep21a2 ceb21a2.pdf Size:124K _cet

CEP21A2/CEB21A2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 25A,RDS(ON) = 40m? @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m? @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unl

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