Справочник MOSFET. CEB21A2

 

CEB21A2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB21A2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB21A2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB21A2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  cet
 cep21a2 ceb21a2.pdf pdf_icon

CEB21A2

CEP21A2/CEB21A2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 25A,RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability. DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Другие MOSFET... CEF08N6A , CEP08N6A , CEF1186 , CEB1186 , CEP1186 , CEB1195 , CEF1195 , CEP1195 , IRF840 , CEB3060 , CEB30N15L , CEB3120 , CEB3205 , CEB4060A , CEB4060AL , CEB45N10 , CEB50N10 .

History: AP02N40H-HF | IXTQ75N10P | CET0215 | 2SK277 | NP20N10YDF | APT8M100B | MCG30N03A

 

 
Back to Top

 


 
.