CEB21A2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB21A2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB21A2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB21A2 даташит

 ..1. Size:124K  cet
 cep21a2 ceb21a2.pdf pdf_icon

CEB21A2

CEP21A2/CEB21A2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 25A,RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Другие IGBT... CEF08N6A, CEP08N6A, CEF1186, CEB1186, CEP1186, CEB1195, CEF1195, CEP1195, IRF840, CEB3060, CEB30N15L, CEB3120, CEB3205, CEB4060A, CEB4060AL, CEB45N10, CEB50N10