Справочник MOSFET. CEB21A2

 

CEB21A2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB21A2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 216 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB21A2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  cet
 cep21a2 ceb21a2.pdf pdf_icon

CEB21A2

CEP21A2/CEB21A2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES20V, 25A,RDS(ON) = 40m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 70m @VGS = 2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability. DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SVG076R5NT | SVG086R0NDTR | UTT100N05 | UTT18P10G-TA3-T | HUF76145S3S | BUK7Y22-100E | SVS11N60TD2

 

 
Back to Top

 


 
.